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      、芯片
      Z P H F Φ30 / 18
      規格 類型 封裝方式 芯片極性 芯片直徑   峰值電壓×100V
      Z 硅整流 P 普通 H 焊接   正向不標注      
      K 可硅控 K 快速 Y 壓接 F 反向      
          X 旋轉              
          E 焊機              
          B 雪崩              
          G 高頻              
          H 高壓              
      二、元件
      Z P L F 300A / 18
      規格 類型 封裝方式 元件極性 額定電流   峰值電壓×100V
      Z 硅整流 P 普通 L 螺旋   正向不標注      
      K 可硅控 K 快速 P 平板 F 反向      
          X 旋轉              
          E 焊機              
          B 雪崩              
          G 高頻              
          H 高壓              
      三、模塊
        M D S 300A / 18
        模塊 類型 電路形式 額定電流   峰值電壓×100V
              D 硅整流 A 共陽極      
                        T 可硅控 K 共陰極      
              Z 快速整流 Q 單相橋      
              K 快速可控 S 三相橋      
              F D和T C 串聯      
              H Z和K X 反并聯      
                  G 三相共陽      
                  Y 三相共陰      

       



      符號 術語 單位 英文
      VRRM 反向重復峰值電壓 V repetitive peak reverse voltage
      VDRM 斷態重復峰值電壓 V repetitive peak of-state current
      VDSM 斷態不重復峰值電壓 V non-repetitive peak off-state voltage
      VRSM 反向不重復峰值電壓 V non-reetitive peak reverse voltage
      VTM 通態峰值電壓 (晶閘管) V peak on-state voltage
      VFM 正向峰值電壓 (整流管) V peak forward voltage (of diode)
      VT 通態平均電壓 (晶閘管) V Average on-state voltage
      VF 正向平均電壓 (整流管) V Average forward voltage
      VTO 通態門檻電壓 (晶閘管) V On state threshold voltage
      VFO 通態平均電壓 (晶閘管) V The positive threshold voltage
      VGT 門極觸發電壓 V gate trigger voltage
      VTSO 絕緣電壓 V Insulation voltage
      IRRM 反向重復峰值電流 mA repetitive peak reverse current
      IDRM 斷態重復峰值電流 mA Repetitive peak off-state current
      IT(AV) 通態平均電流 (晶閘管) A mean on-state current
      IF(AV) 正向平均電流(整流管) A Average forward current
      ITRMS 通態電流有效值 A On-state current effective value
      ITSM 通態浪涌電流(晶閘管) A surge on-state current
      ITM 通態峰值電流 (晶閘管) A peak on-state current
      IGT 門極觸發電流 mA gate trigger current
      IFSM 正向浪涌電流 (整流管) A surge forward current
      IFM 正向峰值電流 (整流管) A peak forward current (of diode)
      IFRMS 正向電流有效值 A Forward current effective value
      I2t 電流平方時間積 A2S Circuit Fusing Consideration
      IH 維持電流 mA Holding Current
      IO 額定整流電流(輸出值) A Rated current (output value)
      IR 反向電流 mA reverse current
      Irr 反向恢復電流(ZK) A reverse recovery current
      IL 擎住電流 mA Latching Current (IGT3)
      dv/dt 斷態電壓臨界上升率 V/us critical rate of rise of off-state voltage
      di/dt 通態電流臨界上升率 A/us critical rate of rise of on-state current
      (di/dt)C 換向電壓臨界上升率(KS) A/us critical rate of rise of commutating voltage
      rT 通態斜率電阻 (晶閘管) On-state slope resistance
      rF 正向斜率電阻 (整流管) The positive slope resistance
      Rjc 結殼熱阻抗 ℃/W junction-case thermal resistance
      PSM 反向浪涌功率 W Surge reverse power
      PQ 門極平均功率 W Average gate power
      PGM 門極峰值功率 W peak gate power
      Qrr 反向恢復電荷 (ZK) uc reverse recovery charge
      Tjm 最高額定結溫 maximum virtual junction temperature
      THS 散熱器溫度 Radiator temperature
      Tq 電路換向關斷時間 (KK) us cricuit commutated turn-off time
      ton 開通時間 us turn on time
      trr 反向恢復時間 (ZK) us reverse recovery time (of diode)
      TC 管殼溫度 Shell and tube temperature
      Tstg 貯存溫度 Storage Temperature Range
      ts 存儲時間 h storage time

       

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